全球碳化硅衬底总市场规模 4年7.5倍，复合增速65%

　　电动汽车的电驱动主要由电机、减速器和控制器三部分组成，电机中最关键的是电机控制器，而电机控制器中最核心的是IGBT功率控制模块。


　　而比IGBT性能更领先的第三代技术便是碳化硅（SiC），SiC是一个比IGBT更先进的控制器芯片，能够承受更大范围的电压、更大的电流，且体积更小、开关损耗更低，省电的同时工作频率也更高。


　　新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景，碳化硅功率器件可使新能源汽车的系统效率更高、重量更轻及结构更加紧密，有助于节省成本以及续航里程的提升。特斯拉率先在Model 3中集成全碳化硅模块，随后国外车企如丰田、本田、福特、大众等，国内如比亚迪、蔚来等陆续宣布将采用碳化硅方案。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业将迎来爆发式增长。据机构测算，2021年到2025年全球碳化硅衬底总市场规模将从19亿元增长至143亿元，需求量将从30万片增长至420万片。